三星宣布3纳米GAA体系结构制程技术芯片开始生产

6月30日传闻，三星集团今日宣布，基于3聚乙烯（nm）全紧挨栅极（Gate-All-AroundT，简称 GAA）MOS工艺技术路由器的集成电路早已开始近期制造。

3nm GAA技术换用了更宽通的聚乙烯片，与换用窄通道聚乙烯线的GAA技术远比能发放更高的性能和增幅比。

与三星5nm工艺技术远比，第一代3nm工艺技术可以使耗电量降低45%，性能提升23%，集成电路面积下降16%；而未来第二代3nm工艺技术则使耗电量降低50%，性能提升30%，集成电路面积下降35%。

魏巍：吴剑 SF031

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