智能座舱之存储篇那是第一篇初识存储

爆发式上涨， 其旧金山北郊场数目攻向DRAM，而NOF Flash的旧金山北郊场数目于2006年远时是全盛时期后开始渐渐下滑，但于近两年又开始有极小回升趋势。

2、SRAM信息技术产业在从旧金山到韩国，韩国到朝鲜的重新分配。

通过下左图可以看不到，SRAM在服务业的合而为一要关卡随之而来近现代转型发生了显着的推移，霸合而为一地位由一开始的旧金山服务业(1969-1984年)逐步重新分配到韩国(1985-1996年)，最后再行重新分配到朝鲜服务业(1996-现今)。

迄今为止SRAM在服务业的合而为一要关卡包含朝鲜的Galaxy、SK海力士；韩国的NEC、铠侠、日立、NEC；旧金山的半导体公司、IBM、西部原始数据等。

3、NAND FLASH转型简述

经过50年的转型，SRAM从EPROM 到NOR 到2D FLASH，再行到现今的3D FLASH转型路径。

经过50年的SRAMCPU转型，SRAM用量增势十分迅速，20世纪直到现今，边缘化的NOF FLASHSRAM用量值得注意在100MB都有，到2004年，SRAMSRAM用量转回GB的时代，从2004年的转型到2011年的128GB，2013年的3D NAND Flash 高灵活性的实践使SRAM用量进一步减少，由128GB转型到现今的2TB。

NAND FLASH 新车微粒的市场竞争发展趋势可以分界分作三个阶段：

在2013年Q4直到现今，Galaxy、铠侠、镁光、海力士和IBM为5家仅有的NAND Flash新车一些公司，几乎占有据了全部NAND Flash微粒旧金山北郊场。

在2013年Q4到2017年Q3之间，西部原始数据作为另越来越有NAND flash新车一些公司转到市场竞争并占有据显着的旧金山北郊场比率，铠侠的北郊总北郊值由此回升了大约10%，Galaxy回升了5%。

2017年Q3此后，包含鄱阳湖SRAM之内的其余该公司渐渐占有据一择的旧金山北郊场比率，超越几乎被此前6家大厂独占的旧金山北郊场发展趋势。

4、DRAM 的转型简述

自旧金山Advanced Memory 发行旗舰级1K DRAM至今之此前大部份50年，受益塑造了1万亿美元的总产值，DRAM旧金山北郊场发展趋势推移风气云涌，从1980年代的聚齐放，到2000年的西汉时期纷争，再行到现今的寡头独占，当今世界的DRAM旧金山北郊场的关卡在不停推移。

迄今为止DRAMCPU的旧金山北郊场发展趋势是Galaxy、SK海力士和镁光统治，三大巨头旧金山北郊场普及率共五大部份95%，而Galaxy主营该公司北郊总北郊值就之此前进逼50%，寡头独占的发展趋势使得那时候面国服务业对于DRAMCPU议价战斗能力很差，也使得DRAMCPU带入不能不受缓冲制大约最严重的基础电子产品之一。

全国性关键SRAM一些公司简述

这两年由于美帝的默许，SRAM之此前带入众多服务业的卡脖子电子产品，境况过17年中减半和交期无限长的恐惧常在，越加来越加多的服务业作准备SRAM的携手开发，放缓发行原再电子产品。全国性SRAM关卡有聚辰大上市公司、鄱阳湖SRAM、兆需注意创新、阜阳长鑫、红光该集团等等，一个大针对有在结构上的服务业进在行最简单简述。

1、聚辰大上市公司EEPROM 北郊总北郊值略高于的全国务业

聚辰大上市公司迄今为止包括EEPROM、音圈继电器驱动CPU和智能卡CPU三条电子新产品， 2019年EEPROM收入占有比为88.14 %，为该公司当此前销售业务。聚辰大上市公司在 EEPROM CPU如故城北郊总北郊值当今世界第三，是平板微电脑内置 EEPROM 如故城占有比大部份 4 成，厂商覆盖范围也就是说囊括全国性一线平板微电脑该公司，在此细分服务业内是毫无歧异的顶上服务业。

该公司在2018年该公司基于1.01u ㎡EEPROMSRAM单元的用量128KBiT 的电子产品意味着换收纳，此外，该公司将不停紧接携手开发投身于，开发新型EEPROM电子产品，减少该公司的比率市场竞争战斗能力。

2、兆需注意创新全国性NOR Flash顶上该公司

兆需注意创新是主营共同努力各类SRAM器、控制器及周边电子产品的结构上设计携手开发的政治经济CPU结构上设计该公司。该公司出发点最初的NOF Flash 不停携手开发，其后发行NAND Flash 和MCU 。其那时候面NOF Flash 收入占有比大部份 70 ％。兆需注意创原再SPI NOF Flash 在那时候面国旧金山北郊场上普及率为第一，同时也是当今世界排名此前三的厂商之一， 2O20Q1 兆需注意创新 NOF Flash 旧金山北郊场比率已达18.8 % ，共计营业额时是130亿颗，年营业额时是28亿颗。

NOF Flash 根据用量可分作高用量（1Gb 及以上）、那时候面（128Mb一1Gb ）用量和高用量（128Mb都有）兆需注意创新合而为一要供应那时候面高用量的NOF Flash 电子产品，其北郊总北郊值仍在随之而来着半导体公司和 Cypress 在高科技 NOF Flash 旧金山北郊场的中止、该公司高灵活性战斗能力的不断进步而小规模减少。随着旧金山北郊场紧致与旧金山北郊场比率的同步减少，该公司的 NOF Flash销量下一代仍有较多的减少紧致。

2019 年，兆需注意创新 GD25 全系列 SPI NOR Flash 电子产品通过 AECQ100 认证，是迄今为止唯一的全国产化车规SRAM电子产品，可为的汽车此前收纳旧金山北郊场以及只能车规级电子产品的特择应用如故域提供高灵活性耐用度性的SRAM解决方案。 2020年，该公司发行全国性旗舰级 2Gb大用量高灵活性 SPI NOR Flash 电子产品，合而为一要面向只能大用量SRAM、耐用度与加速原始数据吞吐量的信息技术产业、车载、 Al 以及 SG 等涉及应用如故域服务业。

3、鄱阳湖SRAM 3D NAND flash

鄱阳湖SRAM筹组于2016年7月，分公司设在南昌，是主营不感兴趣于3D NANDSRAMCPU结构上设计、生产线和经销商的IDMSRAM服务业，是红光该集团旗下关键的SRAMCPU该公司。截至迄今为止鄱阳湖SRAM已在南昌、上海、上海等地附设携手开发那时候面心，当今世界共计员工5000 余人，其那时候面携手开发工程师大约2000人。该公司于2016年底开工建设，并于2018 年底意味着32层 3D NAND 的换收纳。该公司首创XtackIng 高灵活性，并采用该高灵活性如愿携手开发出64层3D NAND ，并于2019年年初换收纳256Gb ( 32GB ) TLC 3D NAND 。

鄱阳湖SRAM由常德红光国器信息技术、国家应用的软件电路基金、常德信息技术投资和常德国芯信息技术产业投资基金共同股份，其那时候面常德红光国器信息技术为仅有上市公司，占有比51.04%。

鄱阳湖SRAM不感兴趣3D NANDSRAM销售业务，于2020年4月10日发行第三代电子产品128层 3D NAND SRAMCPU，单独再多96层，加速赶时是欧美该公司技术高灵活性，128层 3D NAND增加与外国该公司贫富差距至1年。下一代，128层QLC新版本将率再应用如故域消费级SSD，并逐步转回服务业级服务器、原始数据那时候面心等服务业，以保证下一代5G、AI的时代多样化原始数据SRAM需求。

4、阜阳长鑫 全国性如故再的DRAM制造厂商

全国性迄今为止仅主营DRAM制造厂商，阜阳长鑫。阜阳长鑫由阜阳产投在2016年牵头筹组，合而为一攻DRAM正向。2017年，兆需注意创新与阜阳产投签署协商，预算180 亿在阜阳推展19nm 12 英寸DRAM 建设项目，兆需注意创新初始投资36亿，并大约择该公司在下一代并购阜阳产投在该建设项目那时候面的权益，同时大约择，阜阳长鑫优再为兆需注意创新该公司利基电子产品（由兆需注意结构上设计）建设项目此前沿的是阜阳长鑫旗下春力应用的软件。

长鑫通过携手与协商的形式得到实用新型避免福建晋华的悲剧。2019 年 5 月，阜阳长鑫对外公布，其DRAM 高灵活性意指奇梦达，通过携手得到了一千多万份与 DRAM 涉及的高灵活性机密文件（大约2.8TB 原始数据） , 以及16000份实用新型。此后阜阳长鑫又与 Polaris Innovations Ltd、蓝铂世签 iT 协商，得到 DRAM CPU高灵活性机密文件和实用新型批准后。

5、上海君正 并购矽成重点转回车载DRAM服务业

做车载服务业，或多或少都并不知道ISSI 这个一些公司，无论是NAND FLASH还是DDR 都极为知名，在整个车载服务业远亲。出乎意料是现今之此前完完全全是主营那时候面国服务业股份的服务业了。2019年，上海君正告示拟以发在行大上市公司，支付现金形式共五72亿元并购上海矽成100%股权结构，并通过该公司股票亦会审核。下左图是整个股权示意左图。

与当今世界SRAM在服务业顶上Galaxy电子、半导体公司信息技术等IDM该公司合而为一要择设在通用型服务业完全一致，ISSI的应用的软件电路CPU电子产品合而为一要择设在的汽车电子、信息技术产业及无线电等专用型电子产品服务业，有高的毛利率以及较稳择的旧金山北郊场需求。随着顶上IDM该公司渐渐升高其在越来越技术的通用型SRAMCPU制程技艺的投身于，在习惯电子产品和信息技术产业级电子产品的发电量上渐渐削减，并逐步中止了一些小数目的旧金山北郊场。

上海矽成以 Fabless 种系统运行，不感兴趣于应用的软件电路电子产品的携手开发结构上设计，凭借多年的携手开发受益，其CPU电子产品灵活性在极端环境污染下的可靠性和精准度外属于在服务业信息技术产业化，使得其电子产品在大批量厂商及的汽车厂商的电子产品那时候面越来越带有旧金山北郊场市场竞争战斗能力，针对携带型级厂商及信息技术产业级厂商的高传输飞行速度、高容 量SRAMCPU可以保持良好的营业额。

SRAM的最简单简述

1)寄存器又称合而为一存，是 CPU 能单独寻址的SRAM紧致，由太阳能电池晶体管制成

2)寄存器的在结构上是加载速率快

寄存器的主导作用

1)暂时暂存 cpu 的浮点原始数据

2)硬盘等缓冲SRAM器绑择的原始数据

3)保障 cpu 量化的精准度和高灵活性

上左图极为清楚的看不到无需的SRAM的形状完全一致，而且飞行速度完全一致，越加上会的SRAM器用量越加小，比如L1和L2 Cache这其余部分用量极为小，但是飞行速度极为快，而且价钱非常茂。

往一个大的DDR、NOR、NAND、硬盘等等，你亦会挖掘出用量越加来越加大，但是无线电速率亦会越来越极快，你从一个硬盘那时候面拷贝详细资料一般远时是50MB/S就谢天谢地了，但是DDR可以远时是2133MHZ的速率。同等用量下，越加往一个大的SRAM装置的价钱也就越加便宜。

自然史一段时间到，论点家那时候场内烟头不小心把破烂着烈焰了，第一一段时间首再的灭烈焰就是书桌上中水杯那时候的中水，然后如果还不能灭到，就是寝室那时候面裹那时候面的中水，其次才是家那时候的马桶放中水，最后是警署的救援车的中水。

虽然消防员的中水越来越多越来越大，但是远中水解不想近烈焰，不可能打一个119电话，我家那时候的破烂着烈焰了，等警署的过来，估计家那时候都碳化空架子了，所以这个时候就只能飞行速度越来越快的解决方案，虽然杯子那时候面的中水灵活性越来越快，此时有80%概率元气大伤这个烟头产生的烈焰，如果还不在行，此时再行用寝室那时候面裹的中水，虽然这两个收纳的中水不多，但是灵活性越来越快。

如果烈焰势极为大，此时就应该是自来中水管的中水或者消防通道那时候面的中水来解救了，如果这两个都还解救不想，应该就是消防叔叔的消防员的压缩空气机关枪的中水了。有这这个概念我们再行来刚才L1和L2 cache的具体内容。

CPU结构上高速多线程简述：

上左图是全志T7的CPU结构上第一版左图，可以从很多CPU第一版上会看不到有I cache和D cache 和L2 cache。这个就是上左图那时候面的L1和L2 cache CPU结构上高速多线程。

Cache，是SRAM器子系统的组成其余部分，暂存着程序经常采用的呼叫和原始数据，这就是Cache的习惯度量。从仅指的某种程度上看，Cache是快装置为了缓解到访极快装置反应一段时间的预留的Buffer，从而可以在忽视到访反应一段时间的同时，必要地降高原始数据传输率。

高速缓冲SRAM器Cache是设在CPU与寄存器之间的临时SRAM器，它的用量比寄存器小但绑择飞行效率高。在Cache那时候面的原始数据是寄存器那时候面的一小其余部分，但这一小其余部分是短一段时间内CPU就此到访的，当CPU命令行大量原始数据时，就可尽量避免寄存器单独从Cache那时候面命令行，从而放缓存取飞行速度。由此可见，在CPU那时候面转到Cache是一种高效的解决方案，这样整个寄存器储器器（Cache+寄存器）就变成了既有Cache的高飞行速度，又有寄存器的大用量的SRAM系统了。Cache对CPU的灵活性冲击太大，合而为一要是因为CPU的原始数据绑择顺序和CPU与Cache间的带宽引起的。

高速多线程的工作原理

1． 存取顺序

CPU要存取一个原始数据时，首再从Cache那时候面匹配，如果找到就立即存取并赠送给CPU处理；如果不能找到，就用相对极快的飞行速度从寄存器那时候面存取并赠送给CPU处理，同时把这个原始数据所在的原始数据块借调Cache那时候面，可以使得此后对石板原始数据的存取都从Cache那时候面进在行，不必再行命令行寄存器。

正是这样的存取选择性使CPU存取Cache的命那时候面率极为高（大多数CPU较宽90%大约），也就是话说CPU下一次要存取的原始数据90%都在Cache那时候面，只有大大约10%只能从寄存器存取。这大大节省一段时间了CPU单独存取寄存器的一段时间，也使CPU存取原始数据时也就是说无需回头。总的来话说，CPU存取原始数据的顺序是再Cache后寄存器。

2． 多线程类群

此前面是把Cache作为一个连续性来考虑的，现今要类群分析了。Intel从Pentium开始将Cache分开，不一择分作一级高速多线程L1和二级高速多线程L2。

在或多或少的观念那时候面，L1 Cache是应用的软件在CPU那时候面的，被被称作片内Cache。在L1那时候面还分原始数据Cache（I-Cache）和呼叫Cache（D-Cache）。它们分别用来暂存原始数据和执在行这些原始数据的呼叫，而且两个Cache可以同时被CPU到访，缩减了竞相争用Cache所造成了的冲突，降高了微处理器效能。

在P4微处理器那时候面采用了一种技术的一级呼叫Cache——建模藏身处多线程。它单独和执在行单元及建模藏身处发动机连通，通过建模藏身处发动机可以刚刚地找到所执在行的呼叫，并且将呼叫的顺序SRAM在多线程那时候，这样就缩减了合而为一执在行循环的解码周期性，降高了微处理器的浮点灵活性。

直到现今的L2 Cache不想应用的软件在CPU那时候面，而在合而为一板上或与CPU应用的软件在同砖头基板上，因此也被被称作片外Cache。但从PⅢ开始，由于技艺的降高L2 Cache被应用的软件在CPUAPI那时候面，以完全一致于无线台的飞行速度工作，结束了L2 Cache与CPU大贫富差距移位的近现代，使L2 Cache与L1 Cache在灵活性上公正，得到越来越高的传输飞行速度。L2Cache只SRAM原始数据，因此不分原始数据Cache和呼叫Cache。在CPU当此前不推移的情况，减少L2 Cache的用量能使灵活性减少，同一当此前的CPU高高科技之分往往也是在L2 Cache上做手脚，可见L2 Cache的关键性。现今CPU的L1 Cache与L2 Cache惟一区别在于存取顺序。

3. 存取命那时候面率

CPU在Cache那时候面找到简单的原始数据被被称作命那时候面，当Cache那时候面不能CPU所需的原始数据时（这时被称作未有命那时候面），CPU才到访寄存器。从理论上讲，在一颗包括2级Cache的CPU那时候面，存取L1 Cache的命那时候面率为80%。也就是话说CPU从L1 Cache那时候面找到的简单原始数据占有原始数据总量的80%，剩下的20%从L2 Cache存取。由于必须精准预测早就执在行的原始数据，存取L2的命那时候面率也在80%大约（从L2写到简单的原始数据占有总原始数据的16%）。那么还有的原始数据就不得不从寄存器命令行，但这之此前是一个颇为小的百分比了。在一些高科技服务业的CPU（像Intel的Itanium）那时候面，我们常听到L3 Cache，它是为存取L2 Cache后未有命那时候面的原始数据结构上设计的—种Cache，在包括L3 Cache的CPU那时候面，只有大约5%的原始数据只能从寄存器那时候面命令行，这进一步降高了CPU的灵活性。

为了保证CPU到访时有高的命那时候面率，Cache那时候面的具体内容应该按一择的方法替换。一种较常用的方法是“近期大部份采用方法”（LRU方法），它是将近期一段一段时间内大部份被到访过的在行落败落败。因此只能为每在行设置一个计数器，LRU方法是把命那时候面在行的计数器清零，其他各在行计数器加1。当只能替换时落败在行计数器计数值仅有的原始数据在行落败。这是一种高效、科学的方法，其计数器清零过程可以把一些频密命令行后再行不只能的原始数据落败出Cache，降高Cache的利用率。

这期再把片内的高速多线程再讲解了，上面几期是E2PROM、NOR FLASH、NAND FLASH、EMMC、DDR的具体内容。

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